1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑;集成电路

集成电路1950年:结型晶体管诞生; 1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺; 1951年:场效应晶体管发明; 1956年:C S Fuller发明了扩散工艺; 1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史; 1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺; 1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管; 1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺; 1964年:Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍; 1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列(50门); 1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司; 1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM)，标志着大规模集成电路出现; 1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明; 1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802; 1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世; 1978年:64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临; 1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC; 1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世; 1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM; 1985年:80386微处理器问世，20MHz; 1988年:16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段; 1989年:1Mb DRAM进入市场; 1989年:486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺; 1992年:64M位随机存储器问世; 1993年:66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺; 1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺;集成电路

1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺; 1999年:奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺; 2000年:1Gb RAM投放市场; 2000年:奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺; 2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。 2003年:奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 2005年:intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年:intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。